کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5384814 | 1505011 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An ONIOM study of H2O interacting with the C-terminated surface of silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
âºReactivity of water molecule with the C-terminated SiC(0 0 1) surface was firstly studied. âºA relatively reliable theoretical methods ONIOM was used to study the reaction on a solid surface. âºMolecular physisorption, chemisorption and reaction channels associated with reaction energy and energy barriers were proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 501, Issues 1â3, 6 December 2010, Pages 87-92
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 501, Issues 1â3, 6 December 2010, Pages 87-92
نویسندگان
Yan Liu, Kehe Su, Xin Wang, Yanli Wang, Qingfeng Zeng, Laifei Cheng, Litong Zhang,