کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5384867 1504999 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of trap-filling effect on transient carrier transport in pentacene field effect transistors by time-resolved optical second harmonic generation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study of trap-filling effect on transient carrier transport in pentacene field effect transistors by time-resolved optical second harmonic generation
چکیده انگلیسی
►Transient carrier transport in OFET with different traps condition is visualized. ► Trap condition can be intentionally controlled by applying gate voltage. ► The effective carrier mobility increased with the increase of filled-trap density. ► We quantitatively evaluated the trap density from saturation voltage of the mobility.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 507, Issues 1–3, 29 April 2011, Pages 195-198
نویسندگان
, , ,