کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5384867 | 1504999 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of trap-filling effect on transient carrier transport in pentacene field effect transistors by time-resolved optical second harmonic generation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
âºTransient carrier transport in OFET with different traps condition is visualized. ⺠Trap condition can be intentionally controlled by applying gate voltage. ⺠The effective carrier mobility increased with the increase of filled-trap density. ⺠We quantitatively evaluated the trap density from saturation voltage of the mobility.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 507, Issues 1â3, 29 April 2011, Pages 195-198
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 507, Issues 1â3, 29 April 2011, Pages 195-198
نویسندگان
Yasuyuki Tanaka, Takaaki Manaka, Mitsumasa Iwamoto,