کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5385125 1505018 2010 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Generation of exciton in two semiconductors interface: SnO2:Eu-Y2O3
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Generation of exciton in two semiconductors interface: SnO2:Eu-Y2O3
چکیده انگلیسی
Formation of two semiconductors interface from dispersion of one crystalline semiconductor into another amorphous semiconductor matrix.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 497, Issues 4–6, 20 September 2010, Pages 208-212
نویسندگان
,