کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5385193 | 1505015 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The interfacial electronic structure of fullerene/ultra thin dielectrics of SiO2 and SiON
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The electronic structures of C60/SiO2 and C60/SiON and energy diagrams are described. ⺠The surface nitrogen reduces the work function of the SiON compared to the SiO2. ⺠The LUMO offset is determined by the work function of each dielectric substrate. ⺠The threshold voltage is related to the work function of the dielectric layer used.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 499, Issues 1â3, 20 October 2010, Pages 136-140
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 499, Issues 1â3, 20 October 2010, Pages 136-140
نویسندگان
S.W. Cho, Y. Yi, K.B. Chung, S.J. Kang, M.-H. Cho,