کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5385193 1505015 2010 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The interfacial electronic structure of fullerene/ultra thin dielectrics of SiO2 and SiON
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The interfacial electronic structure of fullerene/ultra thin dielectrics of SiO2 and SiON
چکیده انگلیسی
► The electronic structures of C60/SiO2 and C60/SiON and energy diagrams are described. ► The surface nitrogen reduces the work function of the SiON compared to the SiO2. ► The LUMO offset is determined by the work function of each dielectric substrate. ► The threshold voltage is related to the work function of the dielectric layer used.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 499, Issues 1–3, 20 October 2010, Pages 136-140
نویسندگان
, , , , ,