کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5385415 | 1505020 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of ferromagnetism in Al-doped 4H-SiC by density functional theory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We find out the possible theoretical origin of ferromagnetism in Al-doped 4H-SiC using first-principles methods and verify the experiments' data. ⺠There is no any d electron in Al-doped 4H-SiC and p electrons dominion the ferromagnetism in this system. ⺠Silicon vacancy has high formation energy but it is one of the important factors of the ferromagnetism in Al-doped 4H-SiC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 496, Issues 4â6, 30 August 2010, Pages 276-279
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 496, Issues 4â6, 30 August 2010, Pages 276-279
نویسندگان
Lin Yu, Hao Jin, Donghong Liu, Ying Dai, Meng Guo, Baibiao Huang, Zhenkui Zhang,