کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5385665 | 1505042 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular dynamics simulation of oxide thin film growth: Importance of the inter-atomic interaction potential
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A molecular dynamics study of growth of MgxAlyOz thin films is presented using an ionic model and comparing two potential sets with formal and partial charges. The simulation results with the formal charge potential set showed a transition in the film from a crystalline to an amorphous structure, when the Mg metal content decreases below 50% in very close agreement with the structure of the experimentally deposited films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 485, Issues 4â6, 26 January 2010, Pages 315-319
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 485, Issues 4â6, 26 January 2010, Pages 315-319
نویسندگان
Violeta Georgieva, Ilian T. Todorov, Annemie Bogaerts,