کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5385826 | 1505022 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Singlet-triplet quenching in high intensity fluorescent organic light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Doped fluorescent OLEDs exhibit significant intensity overshoot at the beginning of a current pulse when driven at very high brightnesses. ⺠The effect is due to interaction of dopant singlets with host triplets and polarons. ⺠Rate equations are developed to describe all aspects of the overshoot. ⺠A means to reduce this effect, and to achieve potentially higher quantum efficiency in ultrabright fluorescent OLEDs is to co-dope the emission layer with a fast phosphor molecule that acts as a triplet sink.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 495, Issues 4â6, 10 August 2010, Pages 161-165
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 495, Issues 4â6, 10 August 2010, Pages 161-165
نویسندگان
Yifan Zhang, Matthew Whited, Mark E. Thompson, Stephen R. Forrest,