کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5386049 | 1505048 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate field induced electronic current modulation in a single wall boron nitride nanotube: Molecular scale field effect transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Boron nitride nanotube as a field effect transistor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 482, Issues 4â6, 12 November 2009, Pages 312-315
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 482, Issues 4â6, 12 November 2009, Pages 312-315
نویسندگان
Ranjit Pati, Puspamitra Panigrahi, Partha Pratim Pal, Brahim Akdim, Ruth Pachter,