کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5386089 1505024 2010 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of H2 ambient annealing on silicon nanowires prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effect of H2 ambient annealing on silicon nanowires prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition
چکیده انگلیسی
► H2 ambient annealing of SiNWs increases core SiNWs thickness and reduces oxygen content from SiNWs/SiO2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 494, Issues 4–6, 19 July 2010, Pages 269-273
نویسندگان
, , , , ,