کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5387032 1505076 2009 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic states of SiC−: A theoretical study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic states of SiC−: A theoretical study
چکیده انگلیسی
Electronic structure and spectroscopic properties of 21 low-lying doublets, quartets, and sextets of SiC− are studied by MRDCI calculations. Two new transitions, C2Π-X2∑+ and D2Π-X2∑+ are predicted to be highly probable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 468, Issues 4–6, 22 January 2009, Pages 124-128
نویسندگان
, , ,