| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5387032 | 1505076 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic states of SiCâ: A theoretical study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electronic structure and spectroscopic properties of 21 low-lying doublets, quartets, and sextets of SiCâ are studied by MRDCI calculations. Two new transitions, C2Î -X2â+ and D2Î -X2â+ are predicted to be highly probable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 468, Issues 4â6, 22 January 2009, Pages 124-128
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 468, Issues 4â6, 22 January 2009, Pages 124-128
نویسندگان
Anup Pramanik, Amartya Banerjee, Kalyan Kumar Das,