کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5387351 | 1505079 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structures and electron detachment energies of Ga2S3- and Ga3S2-
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Neutral Ga2S3 and Ga3S2 have similar C2ν 'V' gas phase equilibrium geometry. Ga2S3-adopts the C2ν kite geometry while Ga3S2-prefers the three dimensional geometry having D3h symmetry. The predicted adiabatic electron affinities of Ga2S3- and Ga3S2- are 3.30 eV and 2.76 eV at the CCSD(T)//B3LYP/6-311+G(2df) level.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 467, Issues 1â3, 15 December 2008, Pages 23-27
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 467, Issues 1â3, 15 December 2008, Pages 23-27
نویسندگان
Neelum Seeburrun, Edet F. Archibong, Ponnadurai Ramasami,