کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5387351 1505079 2008 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structures and electron detachment energies of Ga2S3- and Ga3S2-
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Structures and electron detachment energies of Ga2S3- and Ga3S2-
چکیده انگلیسی
Neutral Ga2S3 and Ga3S2 have similar C2ν 'V' gas phase equilibrium geometry. Ga2S3-adopts the C2ν kite geometry while Ga3S2-prefers the three dimensional geometry having D3h symmetry. The predicted adiabatic electron affinities of Ga2S3- and Ga3S2- are 3.30 eV and 2.76 eV at the CCSD(T)//B3LYP/6-311+G(2df) level.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 467, Issues 1–3, 15 December 2008, Pages 23-27
نویسندگان
, , ,