| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5387717 | 1505105 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DFT calculation of EPR parameters of antisite defect in gallium arsenide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, the EPR parameters of antisite defect in GaAs are calculated using DFT and a saturated cluster model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 453, Issues 4â6, 3 March 2008, Pages 188-191
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 453, Issues 4â6, 3 March 2008, Pages 188-191
نویسندگان
Marcos C. Esteves, Alexandre B. Rocha, Ney V. Vugman, Carlos E. Bielschowsky,