کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5388681 | 1505068 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of gold contacts in GaAs-based molecular devices: Relating structure to electrical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Metal/molecule/semiconductor devices fabricated using different metallization techniques exhibit significantly different electrical properties, which can be correlated to various degrees of metal penetration and monolayer disorder, as observed using time-of-flight secondary ion mass spectrometry and Fourier transform infrared spectroscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 472, Issues 4â6, 20 April 2009, Pages 220-223
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 472, Issues 4â6, 20 April 2009, Pages 220-223
نویسندگان
Patrick D. Carpenter, Saurabh Lodha, David B. Janes, Amy V. Walker,