| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 5389115 | 1505134 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphology of nanostructured GaP on GaAs: Synthesis by the close-spaced vapor transport technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nanostructures of gallium phosphide (GaP) were fabricated through the close-spaced vapor transport (CSVT) technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 439, Issues 1â3, 4 May 2007, Pages 127-131
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 439, Issues 1â3, 4 May 2007, Pages 127-131
نویسندگان
Carlos Felipe, Fernando Chávez, Carlos Ángeles-Chávez, Enrique Lima, Oscar Goiz, Ramón Peña-Sierra,