کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5389535 | 1505074 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electronic properties of neutral clusters In12X (XÂ =Â C, Si, Ge, and Sn) and their anions from first principles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Geometric optimizations demonstrate that the ground state geometries of In12X (XÂ =Â Si, Ge, Sn) and their anions favor the pseudo D5h structures, while those of In12X (XÂ =Â C) and its anion tend to be Cs ones. Magnetism analysis indicates that indium behaves as a trivalent atom in the clusters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 469, Issues 4â6, 17 February 2009, Pages 321-324
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 469, Issues 4â6, 17 February 2009, Pages 321-324
نویسندگان
Yuzhen Liu, Kaiming Deng, Yongbo Yuan, Xuan Chen, Haiping Wu, Xin Wang,