کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5389987 | 1505159 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The initial mechanisms of Al2O3 atomic layer deposition on OH/Si(1Â 0Â 0)-2Â ÃÂ 1 surface by tri-methylaluminum and water
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The additional surface -OH group of OH/Si(1Â 0Â 0) significantly increases the thermodynamic stabilities of initial complex and subsequent products, and it reduces the reaction barriers of the initial deposition of TMA. It also allows the ring closing reaction essentially saturating surface bonding sites in between surface and Al2O3 junction region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 426, Issues 4â6, 4 August 2006, Pages 365-369
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 426, Issues 4â6, 4 August 2006, Pages 365-369
نویسندگان
Manik Kumer Ghosh, Cheol Ho Choi,