کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5390145 | 1505155 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On wafer TiO2 nanotube-layer formation by anodization of Ti-films on Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using a new technique, highly organized TiO2 nanotubular surfaces can be grown by the anodization of titanium on silicon substrates. The tubes are open at the top and their dimensions are given by the applied potential. The key to grow them is using temperatures close to 0 °C during anodization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 428, Issues 4â6, 20 September 2006, Pages 421-425
Journal: Chemical Physics Letters - Volume 428, Issues 4â6, 20 September 2006, Pages 421-425
نویسندگان
J.M. Macak, H. Tsuchiya, S. Berger, S. Bauer, S. Fujimoto, P. Schmuki,