کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5421090 | 1507869 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Step-by-step growth of an epitaxial Si4O5N3 single layer on SiC(0001) in ultrahigh vacuum
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 661, July 2017, Pages 22-27
Journal: Surface Science - Volume 661, July 2017, Pages 22-27
نویسندگان
Seigi Mizuno, Tomomi Matsuo, Takeshi Nakagawa,