کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5421844 | 1507891 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding the early stages of growth of Ge on Si(001) from lattice based simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Vacancies in dimer rows at 1Â ML coverage for Ge grown on Si(001) align at higher temperatures in a direction perpendicular to the dimer rows.779
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 639, September 2015, Pages 96-101
Journal: Surface Science - Volume 639, September 2015, Pages 96-101
نویسندگان
Paramita Ghosh, Pinku Nath, Madhav Ranganathan,