کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5421919 | 1507895 | 2015 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structures and stabilities of bilayer graphene doped with boron and nitrogen
ترجمه فارسی عنوان
ساختارهای الکترونیکی و پایداری گرافن دو طرفه با بور و نیتروژن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نظریه تراکم عملکردی، گرافن بیلایر، دوپینگ شیمیایی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
First-principles electronic-structure calculations have been performed to investigate energetics and electronic properties of boron (B) and nitrogen (N) defects in bilayer graphene. It is found that the formation energies for N-doped AB-stacked bilayers vary depending on dopant sites, whereas those for B-doped ones show almost site-independent behavior. From results of energy-band structure, B-doped and N-doped bilayer graphenes exhibit p-type and n-type electronic properties, respectively, with carriers on both two layers. It is also found that the boron and the nitrogen defects are observable in scanning tunneling microscopy (STM) images, while AA- and AB-stacking patterns of doped bilayer graphene exhibit similar STM images.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 634, April 2015, Pages 57-61
Journal: Surface Science - Volume 634, April 2015, Pages 57-61
نویسندگان
Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito,