کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422096 | 1507903 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crucial roles of holes in electronic bond rupture on semiconductor surfaces
ترجمه فارسی عنوان
نقش مهم سوراخ در شکست باند الکترونیکی بر روی سطوح نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
میکروسکوپ تونلی اسکن کردن، سطوح نیمه هادی، تزریق حامل، پارگی باند،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Structural changes on cleaved (110) surfaces of InP, induced by tunneling carriers from the tip of a scanning tunneling microscope, were studied. Bond rupture takes place at intrinsic P-sites only at negative sample voltages (i.e., under hole-injection conditions), resulting in the formation of P-vacancies, while injected electrons induce no structural change. The rate of bond rupture, showing a prominent threshold sample voltage at â 2.2 V, is a quadratic function of the tunneling current. Nonlinear localization of two holes injected into surface bands is crucial as the primary step in the electronic bond rupture on semiconductor surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 626, August 2014, Pages 49-52
Journal: Surface Science - Volume 626, August 2014, Pages 49-52
نویسندگان
J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura,