کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422157 | 1507904 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)-c(4 Ã 4)α surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The empty-state scanning tunneling microscopy (STM) images of GaAs-c(4 Ã 4)α show symmetric features at positive biases, contrary to the naive prediction based on electron counting model. In this paper, we report that STM simulations based on first-principles electronic structure calculations successfully demonstrate symmetric images consistent with the STM observations. Furthermore, simple analysis has revealed that the origin of the symmetric images is the combined local electron density of multiple orbitals, and is essentially different from those on GaAs-c(4 Ã 4)β surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 625, July 2014, Pages 84-89
Journal: Surface Science - Volume 625, July 2014, Pages 84-89
نویسندگان
Shigeru Kaku, Jun Nakamura, Kazuma Yagyu, Junji Yoshino,