کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422195 | 1507906 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dissociation of O2 molecule chemisorbed on Si1 â xGex/Si(001)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
OO bond breaking in O2 chemisorbed on addimers of perfect Si1 â xGex/Si(001) surface was investigated using ab initio calculations. A hybrid quantum mechanical-molecular mechanical approach (QM/MM) and a CASSCF(2;2)/N21-3** method were employed to simulate this reaction. The ability of such model to reproduce correct results was confirmed by additional calculation of dissociation barrier using different modifications of CASSCF method, basis set and surface clusters. The act of OO bond breaking was found to be energetically favorable only due to local surface stain, with an activation energy of 0.2 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 623, May 2014, Pages 13-16
Journal: Surface Science - Volume 623, May 2014, Pages 13-16
نویسندگان
A. Grynchuk, I. Koval, M. Nakhodkin,