کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422210 | 1507909 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-organized trench-island structures in epitaxial cobalt silicide growth on Si(111)
ترجمه فارسی عنوان
ساختار سازه های جزر و مد خود ساختار در رشد سیلیسید کبالت اپیتاکسیال در سی (111)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مواد نانوساختار و سازه، میکروسکوپ تونلی اسکن کردن، سازه های سطح، سیلیسید اپیتاکسیال و ترانشه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Sub-monolayer Co deposition on clean Si(111)-(7 Ã 7) surfaces has been found to form nanoscale CoSi2 islands with a surrounding trench of one Si bilayer depth and mainly hexagonal shape. The trench surface structure is largely like that of the disordered '1 Ã 1' phase of the Si(111)-7 Ã 7 â '1 Ã 1' phase transition and comprises mostly disordered Si adatoms with small ordered patches of (11 Ã 11), (9 Ã 9), c(5 Ã â5), c(4 Ã 4) and (2 Ã 2) structures along with some Co-ring clusters. This disordered '1 Ã 1' structure within the trench has formed at 600 °C, the growth temperature of CoSi2 in reactive deposition epitaxy, much below the order-disorder phase transition temperature on Si(111)-(7 Ã 7). The structure around the trench remains (7 Ã 7). Electronically the trench is semiconducting. The surrounding 7 Ã 7 structure being metallic, the island-trench structure forms a lateral metal-semiconductor-metal structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 620, February 2014, Pages 23-29
Journal: Surface Science - Volume 620, February 2014, Pages 23-29
نویسندگان
J.C. Mahato, Debolina Das, R. Batabyal, Anupam Roy, B.N. Dev,