کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422261 | 1507908 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of topological crystalline insulator SnTe thin films on Si(111) substrate by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the growth of atomically flat topological crystalline insulator (TCI) SnTe films on Si(111) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The growth condition for achieving high quality SnTe film was established by a combination of reflection high energy electron diffraction (RHEED) and scanning tunneling microscopy (STM) studies. In-situ angle resolved photoemission spectroscopy (ARPES) measurements elucidate the topological nature of the SnTe films. The electronic structure of SnTe films can be tuned by film thickness and Pb doping. The success in growing high quality SnTe thin films with tunable electronic structure is crucial for potential device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 621, March 2014, Pages 104-108
Journal: Surface Science - Volume 621, March 2014, Pages 104-108
نویسندگان
Chen-Hui Yan, Hua Guo, Jing Wen, Zhi-Dong Zhang, Li-Li Wang, Ke He, Xu-Cun Ma, Shuai-Hua Ji, Xi Chen, Qi-Kun Xue,