کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422640 | 1507920 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning tunneling spectroscopy and density functional calculation of silicon dangling bonds on the Si(100)-2Â ÃÂ 1:H surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Scanning tunneling spectroscopy and density functional calculation of silicon dangling bonds on the Si(100)-2Â ÃÂ 1:H surface Scanning tunneling spectroscopy and density functional calculation of silicon dangling bonds on the Si(100)-2Â ÃÂ 1:H surface](/preview/png/5422640.png)
چکیده انگلیسی
⺠Studied local effects of Si dangling bonds using UHV-STM. ⺠Lateral decay of the DB state is anisotropic on the Si(100) surface. ⺠Interactions between DBs within a DB wire lead to increased decay length. ⺠Interactions between adjacent DBs are also investigated. ⺠Experiment results strongly supported by SIESTA calculation
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 609, March 2013, Pages 147-151
Journal: Surface Science - Volume 609, March 2013, Pages 147-151
نویسندگان
Wei Ye, Kyoungmin Min, Pamela Peña Martin, Angus A. Rockett, N.R. Aluru, Joseph W. Lyding,