کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422849 | 1507927 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal stability of the Co/β-Si3N4/Si(111) interface: A photoemission study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The thermal stability of the Co/β-Si3N4/Si(111) interface has been studied by high-resolution photoemission spectroscopy in a temperature range extending from room temperature to 650 °C. It is demonstrated the ability of a very thin crystalline buffer layer of silicon nitride to prevent the interfacial reaction between cobalt and silicon at room temperature. The behaviour of the interface at higher temperature shows the formation of cobalt silicides already at 300 °C. Moreover, the presence of new components in the decomposition of the photoemission spectra is discussed in the light of the existing literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 15â16, August 2012, Pages 1215-1220
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 15â16, August 2012, Pages 1215-1220
نویسندگان
Roberto Flammini, Frédéric Wiame, Rachid Belkhou, Amina Taleb-Ibrahimi, Paolo Moras,