کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422875 | 1507944 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spatial point analysis of quantum dot nucleation sites on InAs wetting layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We perform spatial point analysis of InAs quantum dot (QD) nucleation sites and surface reconstruction domain patterns on an InAs wetting layer to investigate QD nucleation mechanisms in Stranski-Krastanow growth mode. An InAs wetting layer on a GaAs(001) substrate has been observed at 300 °C by using in situ scanning tunneling microscopy (STM) preceding QD formation. A nearest-neighbor analysis of the STM images finds that the point pattern of QD precursors is similar to that of (1 Ã 3)/(2 Ã 3) surface reconstruction domains which are specific to Ga-rich fluctuation. This provides the evidence that InAs QD nucleation is induced by Ga-rich fluctuation within an InAs wetting layer, as a technical implication for site-controlled QD growth for various QD devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 5â6, March 2011, Pages L1-L5
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 5â6, March 2011, Pages L1-L5
نویسندگان
Tomoya Konishi, Shiro Tsukamoto,