کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422950 | 1507926 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles calculations of the Sc adsorption on Si(001)-c(2Â ÃÂ 4)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Adsorption of Sc on Si (001)c(2 Ã 4). ⺠Adsorption study of one atom case to a 0.25 of a monolayer of Sc. ⺠Adsorption of one Sc in the trench between two Si dimers is the more stable structure. ⺠The adsorption of two Sc is at two consecutive valley-bridge sites along the trench between Si dimers. ⺠One dimensional Sc chains on the silicon surface is energetically and kinetically favorable.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 17â18, September 2012, Pages 1382-1386
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 17â18, September 2012, Pages 1382-1386
نویسندگان
M.T. Romero, Gregorio H. Cocoletzi, Noboru Takeuchi,