کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5423111 1507937 2011 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial stages of Bi/Ge(111) interface formation: A detailed STM study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Initial stages of Bi/Ge(111) interface formation: A detailed STM study
چکیده انگلیسی
► Scanning tunneling microscopy follows Bi growth on Ge(111). ► Up to 1.5 monolayer Bi coverage, as-deposited at 300 K or annealed at 450 K. ► 2D island formation and 3D growth onset. ► Semiconducting character of laterally isolated Bi islands just one atom thick. ► Metallic character of laterally continuous disordered Bi monolayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 19–20, October 2011, Pages 1771-1777
نویسندگان
, , , , ,