کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423111 | 1507937 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial stages of Bi/Ge(111) interface formation: A detailed STM study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Scanning tunneling microscopy follows Bi growth on Ge(111). ⺠Up to 1.5 monolayer Bi coverage, as-deposited at 300 K or annealed at 450 K. ⺠2D island formation and 3D growth onset. ⺠Semiconducting character of laterally isolated Bi islands just one atom thick. ⺠Metallic character of laterally continuous disordered Bi monolayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 19â20, October 2011, Pages 1771-1777
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 19â20, October 2011, Pages 1771-1777
نویسندگان
A. Goriachko, P.V. Melnik, A. Shchyrba, S.P. Kulyk, M.G. Nakhodkin,