کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423124 | 1507937 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)3Ã3-Me surface, Me= Al, Ga, In, Pb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)3Ã3-Me surface, Me= Al, Ga, In, Pb First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)3Ã3-Me surface, Me= Al, Ga, In, Pb](/preview/png/5423124.png)
چکیده انگلیسی
⺠The different mechanisms of the Si adatoms diffusion are simulated. ⺠The vacancy mediated mechanism is shown to be most favourable one. ⺠The calculated activation energy barriers agree with the published experimental results. ⺠The vacancy mediated mechanism predicts the far more fast movement of Me adatoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 19â20, October 2011, Pages 1866-1871
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 19â20, October 2011, Pages 1866-1871
نویسندگان
Y.V. Luniakov,