کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423822 | 1395803 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High temperature scanning tunneling microscopy of purely ion conducting yttria stabilized zirconia (YSZ)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High temperature scanning tunneling microscopy of purely ion conducting yttria stabilized zirconia (YSZ) High temperature scanning tunneling microscopy of purely ion conducting yttria stabilized zirconia (YSZ)](/preview/png/5423822.png)
چکیده انگلیسی
Scanning tunneling microscopy (STM) on wide band gap insulators is generally not possible. Here we demonstrate that ionic insulators with high ion mobility, such as yttria stabilized zirconia, are an exception to this rule. The ion conductivity ensures that the sample maintains a defined potential relative to the STM tip and thus a stable tunnel junction. Consequently, ion conductors provide an opportunity for characterizing wide band gap insulators, and thin films and nanostructures supported on them by STM.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 13, 1 July 2009, Pages L78-L81
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 13, 1 July 2009, Pages L78-L81
نویسندگان
Suzanne L. Morrow, Tim Luttrell, Aaron Carter, Matthias Batzill,