کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423969 | 1507956 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A STM point-probe method for measuring sheet resistance of ultrathin metallic films on semiconducting silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a novel approach for distinguishing surface, bulk and space-charge layer conductivities of metalized semiconductor surfaces. The method employs current injection from the tip of a scanning tunneling microscope and a spring-contact electrode placed on the surface in situ in UHV. The current-voltage behavior is sensitive to polarity in a way that distinguishes the surface contribution. The method is illustrated for the Si(1Â 1Â 1) 7Â ÃÂ 7 metallized surface and dependence of the conductivity with changing thickness of silver overlayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 5â6, 15 March 2010, Pages 491-495
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 5â6, 15 March 2010, Pages 491-495
نویسندگان
Hyosig Won, Roy F. Willis,