کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424146 | 1507957 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of pits during growth of Si/Ge nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Alternating deposition of Ge and Si in the step-flow growth regime using Bi acting as a surfactant can lead to a spontaneous formation of one atomic layer deep pits in the area of surface covered by Ge. During Si growth Ge atoms of the epitaxial 2D Ge layer move to Si step edges where stronger bonds with Si atoms are formed. Appropriate growth conditions can suppress or enhance the pit formation effect and consequently a new type of self-organized nanostructures can be formed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 3â4, 15 February 2010, Pages 424-427
Journal: Surface Science - Volume 604, Issues 3â4, 15 February 2010, Pages 424-427
نویسندگان
Jacek Brona, Vasily Cherepanov, Konstantin Romanyuk, Bert Voigtländer,