کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424425 | 1395823 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Desorption force on hydrogen atoms from resonant excitations of the H:Si(0 0 1)-(2 Ã 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Laser excitation at 7.9Â eV photon energy leads to the desorption of hydrogen atoms from the H:Si(0Â 0Â 1)-(2Â ÃÂ 1) monohydride surface [T. Vondrak, X.-Y. Zhu, Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 1967]. In the present paper we address the electronic excitations relevant for this desorption process and investigate the corresponding force on the hydrogen atom. The excited state is described by ab-initio many-body perturbation theory. A particular problem is posed by the resonant character of the excited state in question, leading to delocalization and fast decay. Here we suggest to employ an additional short-range confinement potential to localize the excited state on the Si-H bond which is broken in the desorption process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 20, 15 October 2008, Pages 3208-3211
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 20, 15 October 2008, Pages 3208-3211
نویسندگان
Michael Rohlfing, Neng-Ping Wang, Peter Krüger, Johannes Pollmann,