کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424441 | 1395824 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon adatom chains and one-dimensionally confined electrons on 4H-SiC(11¯02): The (2 Ã 1) reconstruction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Surface relaxation and reconstruction - آرامسازی و بازسازی سطحAdatoms - اداتمAngle resolved photoemission - زاویه عکس افزایش یافته استSingle crystal surfaces - سطوح کریستال تکSilicon carbide - سیلیکون کاربیدScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی Surface electronic phenomena (work function, surface potential, surface states, etc.) - پدیده های الکترونیکی سطح (عملکرد کار، پتانسیل سطح، سطح سطح، و غیره)Low energy electron diffraction (LEED) - پراش الکترونی پایین (LEED)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electronic and atomic structure of the 4H-SiC(11¯02)-(2Ã1) surface was investigated. Photoemission data indicate that the surface contains about 2 Si layers on top of the bulk layers. Scanning tunneling microscopy images show that these adlayers are terminated by an ordered array of adatom chains separated by the unit cell size. An electronic surface state located at a binding energy of 0.8 eV shows one-dimensional confinement with dispersion only along the chains. Based on the experimental observations, a tentative (2 Ã 1) surface model is derived with the surface terminated by alternating chains of Si adatoms and Si dimers in between.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 22, 15 November 2008, Pages 3506-3509
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 22, 15 November 2008, Pages 3506-3509
نویسندگان
C. Virojanadara, M. Hetzel, C. Riedl, L.I. Johansson, W.J. Choyke, U. Starke,