کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424530 | 1395828 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation mechanisms of polar and non-polar amorphous oxide-semiconductor interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The formation mechanisms of polar and nonpolar interfaces were investigated by density-functional theory molecular dynamics simulations of the atomic structure of the a-Al2O3/Ge(1Â 0Â 0)(2Â ÃÂ 1) and a-ZrO2/Ge(1Â 0Â 0)(2Â ÃÂ 1) interfaces. The a-Al2O3/Ge interface demonstrates strong chemical selectivity resulting in interface bonding exclusively through Al-O-Ge bonds. The a-ZrO2/Ge interface has both Zr-O-Ge and O-Zr-Ge bonds. The a-ZrO2/Ge junction creates a much less polar interface with lower deformation and intermixing than a-Al2O3/Ge consistent with experimental measurements. In both cases, the interface polarity is determined by the stoichiometry of the interface bonding as opposed to charged defect formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 13, 1 July 2008, Pages L74-L78
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 13, 1 July 2008, Pages L74-L78
نویسندگان
Evgueni A. Chagarov, Andrew C. Kummel,