کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424578 | 1395829 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The role of carbon impurities on the Si(0Â 0Â 1)-c(4Â ÃÂ 4) surface reconstruction: Theoretical calculations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work we employ the state-of-the-art pseudopotential method, within a generalized gradient approximation to the density functional theory, combined with a recently developed method for the calculation of HREELS spectra to study a series of different proposed models for carbon incorporation on the silicon (0Â 0Â 1) surface. A fully discussion on the geometry, energetics and specially the comparison between experimental and theoretical STM images and electron energy loss spectra indicate that the Si(1Â 0Â 0)-c(4Â ÃÂ 4) is probably induced by Si-C surface dimers, in agreement with recent experimental findings.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 9, 1 May 2009, Pages 1229-1235
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 9, 1 May 2009, Pages 1229-1235
نویسندگان
R. Miotto, A.C. Ferraz,