کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424693 | 1395833 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reactive ion beam mixing of V/Si interfaces by low energy N2+ bombardment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The synthesis, composition and electronic structure of V-Si-N thin films grown by N2+ reactive ion beam mixing (IBM) of V/Si interfaces have been analysed using X-ray photoelectron spectroscopy, ultraviolet photoelectron spectroscopy and factor analysis. The IBM kinetics is characterized by two stages. In the first stage, the formation of VNx, along with a small Si incorporation in the near surface region are observed suggesting the formation of a VNx/SiNx nanocomposite film. In the second stage, the nanocomposite film is transformed into a (V-Si)N ternary nitride as a consequence of a higher Si incorporation in the near surface region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 10, 15 May 2008, Pages 1826-1829
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 10, 15 May 2008, Pages 1826-1829
نویسندگان
C. Palacio, A. Arranz,