کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424769 | 1395835 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Corner hole adatom stacking fault structure of Bi on Au(1 1 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The surface atomic structure of Bi on Au(1Â 1Â 1) is studied with scanning tunneling microscopy. At about 0.5 monolayer of Bi, a well-ordered 6Â ÃÂ 6 atomic structure is observed. The structure has three notable features: corner holes, Bi adatoms, and stacking faults, very similar to a semiconductor surface of Si(1Â 1Â 1)-7Â ÃÂ 7. Out of 18 Bi surface atoms in a unit cell, six atoms are at hollow sites and are adatoms, and another six atoms are near-bridge sites. The last six atoms surround corner holes and are lower than other surface atoms by about 0.2Â Ã . A possible atomic model is proposed based on our observation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 1, 1 January 2009, Pages 145-150
Journal: Surface Science - Volume 603, Issue 1, 1 January 2009, Pages 145-150
نویسندگان
Jeong Heum Jeon, Kyung Hoon Chung, Howon Kim, Se-Jong Kahng,