کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424799 | 1395836 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diffusion of oxygen atom in the topmost layer of the Si(1Â 0Â 0) surface: Structures and oxidation kinetics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Diffusion of oxygen atom in the topmost layer of the Si(1Â 0Â 0) surface: Structures and oxidation kinetics Diffusion of oxygen atom in the topmost layer of the Si(1Â 0Â 0) surface: Structures and oxidation kinetics](/preview/png/5424799.png)
چکیده انگلیسی
The incorporations and migrations of the atomic oxygen in the topmost layer Si(1Â 0Â 0)-p(2Â ÃÂ 2) silicon surface, are investigated theoretically using density functional theory. We show that the diffusion is dependent on the starting and the final surrounding environment and does not simply consist in hops from one silicon-silicon bond to another. The activation energies range from 0.11Â eV to 2.59Â eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 11, 1 June 2007, Pages 2339-2343
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 11, 1 June 2007, Pages 2339-2343
نویسندگان
A. Hemeryck, N. Richard, A. Estève, M. Djafari Rouhani,