کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424803 | 1395836 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fermi-level dependent morphology in photoinduced bond breaking on (1Â 1Â 0) surfaces of III-V semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fermi-level dependent morphology in photoinduced bond breaking on (1Â 1Â 0) surfaces of III-V semiconductors Fermi-level dependent morphology in photoinduced bond breaking on (1Â 1Â 0) surfaces of III-V semiconductors](/preview/png/5424803.png)
چکیده انگلیسی
The morphology of structural changes of InP(1Â 1Â 0)-(1Â ÃÂ 1) and GaAs(1Â 1Â 0)-(1Â ÃÂ 1) induced by electronic processes following laser excitation has been studied by scanning tunneling microscopy. Surface-vacancy clusters are predominantly formed on n-type surfaces, while isolated anion monovacancies are generated almost exclusively on p-type surfaces. This remarkable Fermi-level effect in the morphology is characterized in terms of a screened Coulomb type interaction between charged surface monovacancies and carriers generated by laser excitation. It is shown that localization of photogenerated valence holes induces electronic bond rupture at surface sites.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 11, 1 June 2007, Pages 2367-2372
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 11, 1 June 2007, Pages 2367-2372
نویسندگان
J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura,