کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425014 | 1395845 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of a nanopatterned surface of bonded silicon wafers using electrochemical thinning and chemical etching: A scanning tunnel microscopy investigation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sacrificial anodic oxidation is used to thin silicon wafer bonding substrates. Chemical solutions, sensitive to the periodic strain field present in the upper ultra-thin silicon layer, are employed for selective etching. Subsequent scanning tunnel microscopy observations reveal a square array of trenches corresponding to the buried screw dislocation network initially formed at the bonding interface. The influence of the initial thickness and the annealing of the ultra-thin film on roughness and trench depth of the nanopatterned substrates are examined. Germanium growth experiments are performed in order to show the self-organization character of resulting structured surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 22, 15 November 2006, Pages 4931-4936
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 22, 15 November 2006, Pages 4931-4936
نویسندگان
D. Buttard, C. Krieg, A. Pascale, P. Gentile, F. Fournel,