کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425078 | 1395847 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Instability of steps during Ga deposition on Si(1Â 1Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Surface structure, morphology, roughness, and topography - ساختار سطح، مورفولوژی، زبری و توپوگرافیStepped single crystal surfaces - سطوح کریستالی پله شدهsilicon - سیلیسیم Low-energy electron microscopy (LEEM) - میکروسکوپ الکترونی کم انرژی (LEEM)atomic force microscopy - میکروسکوپ نیروی اتمیGallium - گالیم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Instability of steps during Ga deposition on Si(1Â 1Â 1) Instability of steps during Ga deposition on Si(1Â 1Â 1)](/preview/png/5425078.png)
چکیده انگلیسی
We demonstrate that deposition of foreign atoms can induce step wandering. Low-energy electron microscopy and atomic force microscopy were used to investigate step shape changes during Ga deposition on Si(1Â 1Â 1). Dramatic step wandering occurs during the â3Â ÃÂ â3-to-6.3Â ÃÂ 6.3 transition. Due to the difference in the Si atom density between the â3Â ÃÂ â3 and 6.3Â ÃÂ 6.3 structures, steps advance during the phase transition. Because the 6.3Â ÃÂ 6.3 structure is preferentially formed at the lower side of the steps, more Si atoms are incorporated into the steps from the lower side than from the upper side. This asymmetry causes the step wandering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 14, 15 July 2008, Pages 2421-2426
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 14, 15 July 2008, Pages 2421-2426
نویسندگان
H. Hibino, H. Kageshima, M. Uwaha,