کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425236 | 1395851 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zone specificity in low energy electron stimulated desorption of Cl+ from reconstructed Si(1 1 1)-7 Ã 7:Cl surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Diffraction in electron stimulated desorption has revealed a propensity for Cl+ desorption from rest atom vs. adatom areas and unfaulted vs. faulted zones of Cl-terminated Si(1 1 1)-(7 Ã 7) surfaces. We associate the 15 eV ± 1 eV threshold with ionization of Si-Cl Ï-bonding surface states and formation of screened two-hole states with Si 3s character. Similar specificity is observed from A and B reconstructions. This can be due to reduced screening in unfaulted regions and increased hole localization in Si back-bonds within faulted regions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 19, 1 October 2006, Pages L245-L249
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 19, 1 October 2006, Pages L245-L249
نویسندگان
Doogie Oh, Matthew T. Sieger, Thomas M. Orlando,