کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425325 | 1395853 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase defect inspection of multilayer masks for 13.5 nm optical lithography using PEEM in a standing wave mode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phase defect inspection of multilayer masks for 13.5 nm optical lithography using PEEM in a standing wave mode Phase defect inspection of multilayer masks for 13.5 nm optical lithography using PEEM in a standing wave mode](/preview/png/5425325.png)
چکیده انگلیسی
We report on recent developments of an “at wavelength” full-field imaging technique for defect inspection of multilayer mask blanks for extreme ultraviolet lithography (EUVL). Our approach uses photoemission electron microscopy (PEEM) in a near normal incidence mode at 13.5Â nm wavelength to image the photoemission induced by the EUV wave field on the multilayer blank surface. We analyze buried defects on Mo/Si multilayer samples down to a lateral size of 50Â nm and report on first results obtained from a six inches mask blank prototype as prerequisite for industrial usage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 20, 15 October 2007, Pages 4758-4763
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 20, 15 October 2007, Pages 4758-4763
نویسندگان
J. Maul, J. Lin, A. Oelsner, D. Valdaitsev, N. Weber, M. Escher, M. Merkel, H. Seitz, U. Heinzmann, U. Kleineberg, G. Schönhense,