کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425354 | 1395854 | 2008 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
N incorporation, composition and electronic structure in N-doped TiO2(0 0 1) anatase epitaxial films grown on LaAlO3(0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated the properties of N-doped TiO2 anatase grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on LaAlO3(0Â 0Â 1) substrates. Phase-pure epitaxial films in which N substitutes for O with no secondary phase formation nucleate only over a narrow range of fluxes. N substitution for O results in N 2p derived states off the top of the anatase valence band and the associated red shift in the optical bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 1, 1 January 2008, Pages 133-141
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 1, 1 January 2008, Pages 133-141
نویسندگان
S.H. Cheung, P. Nachimuthu, M.H. Engelhard, C.M. Wang, S.A. Chambers,