کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425656 | 1395862 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ordering of Ge nanocrystals using FIB nanolithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Formation and ordering of Ge nanocrystals (NC) are studied on Si(0Â 0Â 1) and SiO2/Si(0Â 0Â 1) substrates patterned by focused ion beam (FIB). In both cases we use a three step process consisting of FIB milling of hole patterns with various periodicities, ex-situ substrate cleaning to remove Ga contamination and Ge NC growth by molecular beam epitaxy (MBE). We show that Ge NC can be ordered between or inside the holes on patterned Si(0Â 0Â 1) substrates and inside the holes on patterned SiO2/Si(0Â 0Â 1) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 13, 1 July 2007, Pages 2769-2773
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 13, 1 July 2007, Pages 2769-2773
نویسندگان
A. Karmous, I. Berbezier, A. Ronda, R. Hull, J. Graham,