کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425666 | 1395862 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nitrogen ion implantation in single wall carbon nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report an X-ray photoemission and electron energy loss study on 3Â keV N2+ ion implantation in single wall carbon nanotubes. Our results show that nitrogen atoms can bind to carbon in tetrahedral sp3, defects related pyridine-like, and triangular sp2 configurations and such bondings are stable for annealing up to 650Â K. Heating at higher temperatures results in preferential substitutional nitrogen doping. This technique opens a new channel for controlled doping in carbon nanotubes for device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 13, 1 July 2007, Pages 2819-2822
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 13, 1 July 2007, Pages 2819-2822
نویسندگان
F. Xu, M. Minniti, C. Giallombardo, A. Cupolillo, P. Barone, A. Oliva, L. Papagno,