کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425893 | 1395869 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bistability in a H-terminated Si(1 0 0)2 Ã 1 surface obtained by ab initio transport calculations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have analyzed electron tunneling due to the electric field from a hydrogen-terminated Si(1Â 0Â 0)2Â ÃÂ 1 ultrathin film on a metal substrate by density functional transport calculations. We have obtained a hysteresis loop in the tunneling current, which comes from the existence of two electronic structures. Furthermore, we have clarified that, as a condition of bistable electron transport, a double-barrier potential structure is not necessarily required for zero field, because it can be induced by the electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 5, 1 March 2006, Pages 62-65
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 5, 1 March 2006, Pages 62-65
نویسندگان
Y. Gohda, S. Watanabe,